Presentation

L’effort de développement est axé vers les formes d’onde électriques rapides, sub-nanoseconde, et les projets futurs d’accélérateurs compacts à très haute fréquence, notamment l’accélérateur in-chip utilisant des DLA (Dielectric Laser Accelerators)

Les émittances très faibles et les tailles sub micrométrique des faisceaux d’électrons dans cette technologie, peuvent s’obtenir par l’emploi de photo-cathodes à FEA (Field Emitters Arrays). Dans le contexte de nouvelles sources d’électrons, est envisagé le mode Photo-Field où la photo-émission assistée par le champ, où on superpose au champ électrique de la cathode, l’impulsion laser de photoémission. Dans ce mode, le champ électrique permet de réduire le travail d’extraction (Work Function) ce qui autorise l’emploi de lasers dans la gamme proche infra rouge. Les paquets d’électrons émis sont des paquets courts femtoseconde, voire attoseconde dans certains mode d’injection.

Le développement de ces moyens implique aussi d’autres « petits » projets en électronique (partie « electronics ») et des calculs et simulations de circuits et électromagnétiques.

Il implique aussi un effort de recherche de matériaux de photo-cathodes et de modélisation au niveau atomique, des couches de matériaux.

 

 

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JLuc